Features
1.1 Low on-resistance
1.1.1 RDS(ON) = 28 mΩ MAX. (VGS = 4.5V, ID = 4A)
1.1.2 RDS(ON) = 37 mΩ MAX. (VGS = 2.5V, ID = 3A)
Applications
Li-ion battery management applications
ECF8205｜Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
ECF8205｜Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
关于飞虹高科
拥有30年经验的IC设计研发公司。
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